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首页薄膜生长设备化学气相沉积设备(PECVD等) > 1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV
  • 产品名称: 1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV
  • 上架时间: 2017-04-28
  • 产品编号: 03050605
  • 浏览次数: 55

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产品简介:1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的,特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。

 

1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV操作视频

 

产品型号

1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:不需要

2、电:AC220V 50Hz,必须有良好

3、气:设备腔室内需充注气体,需自备气瓶气源

4、落地式,占地面积:尺寸1600mm×600mm×700mm

5、通风装置:需要

主要特点

1采用高纯氧化铝保温材料,保证了极好的温度均匀性。

2内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层,可以提高反射率和保护炉膛洁净度

3PID控制器 ,可以设置30段升降温程序。

4金属箔缠绕在内管的外表面上发CVD反应

5采用双管真空密封法兰,允许反应气体通过两管之间(10mm间隙)。

6却气体直接通入内管。

7有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。

8炉底部装有滑轨,炉体可从一端滑向另一端,从而实现快速升温和降温。为了获得较快的加热速度,可以先将炉体预热,然后滑至放置样品处;为了获得较快的冷却速度,可将炉体滑至另一端,同时将冷气通入样品所在处

9密封法兰系统采用不锈钢制作。

10已通CE认证。

技术参数

管式炉

1电源:单相AC 208V-240V   50Hz/60Hz  2.5KW 20A保险丝)

2、石英管:外管外径Ø100mm内径Ø96mm,长1400mm

内管外径Ø80mm内径Ø75mm,长1400mm

3、加热元件:掺钼铁铬铝合金电阻丝(表面涂有氧化锆)

4、加热区域:440mm

5、恒温区域:120mm(±1℃在400-1100℃)

6工作温度:最高1100连续工作1000

7、最大升降温速率:20/min

8、控温精度:±1

9、真空度:10-3torr(机械泵),10-5torr(分子泵)

质量流量混气系统

1、质子流量计:4路精密质子流量计,数字显示,气体流量自动控制

MFC1范围0-100sccmMFC2范围0-200sccmMFC3范围0-200sccmMFC1范围0-500sccm

2、流量精度:0.2%

3、气路:4路(每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制)

4进出气口:1/4卡套

5、混气罐:1

产品规格

尺寸:管式炉550mm×380mm×520mm,移动架600mm×600mm×597mm

重量:135kg

可选配件

1、分子泵

2、双温区管式炉

3、铜箔(生长石墨烯150mm×150mm×25µm


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