客服
留言
返回顶部

工作时间

周一至周五:8:00-11:30 12:30-17:00

产品中心

Products Center

#
  • #
#
产品名称: 1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统
产品型号: OTF-1200X-4-C4LV
产品简述:03050605
浏览次数: 2402
技术参数
设备视频
附件下载

1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的,特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。1、采用高纯氧化铝保温材料,保证了极好的温度均匀性。
2、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层,可以提高反射率和保护炉膛洁净度。
3、采用PID控制器,可以设置30段升降温程序。
4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生CVD反应。
5、采用双管真空密封法兰,允许反应气体通过两管之间(10mm间隙)。
6、冷却气体直接通入内管。
7、配有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。
8、炉底部装有滑轨,炉体可从一端滑向另一端,从而实现快速升温和降温。为了获得较快的加热速度,可以先将炉体预热,然后滑至放置样品处;为了获得较快的冷却速度,可将炉体滑至另一端,同时将冷气通入样品所在处。
9、密封法兰系统采用不锈钢制作。
10、已通过CE认证。

产品型号

1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz(63A空气开关),必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上),需自备氩气气瓶(自带Ø6mm双卡套接头)

4、工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上

5、通风装置:需要

主要特点

1、采用高纯氧化铝保温材料,保证了极好的温度均匀性。

2、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层,可以提高反射率和保护炉膛洁净度。

3、采用PID控制器,可以设置30段升降温程序。

4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生CVD反应。

5、采用双管真空密封法兰,允许反应气体通过两管之间(10mm间隙)。

6、冷却气体直接通入内管。

7、配有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。

8、炉底部装有滑轨,炉体可从一端滑向另一端,从而实现快速升温和降温。为了获得较快的加热速度,可以先将炉体预热,然后滑至放置样品处;为了获得较快的冷却速度,可将炉体滑至另一端,同时将冷气通入样品所在处。

9、密封法兰系统采用不锈钢制作。

10、已通过CE认证。

技术参数

管式炉

1、电源:单相AC 208V-240V   50Hz/60Hz  2.5KW (20A保险丝)

2、石英管:外管外径Ø100mm,内径Ø96mm,长1400mm

内管外径Ø80mm,内径Ø75mm,长1400mm

3、加热元件:掺钼铁铬铝合金电阻丝(表面涂有氧化锆)

4、加热区域:440mm

5、恒温区域:120mm(±1℃在400℃-1100℃)

6、工作温度:最高1100℃,连续工作1000℃

7、最大升降温速率:20℃/min

8、控温精度:±1℃

9、真空度:10-2torr(机械泵),10-5torr(分子泵)

质量流量混气系统

1、质子流量计:4路精密质子流量计,数字显示,气体流量自动控制

MFC1范围0-100sccm,MFC2范围0-200sccm,MFC3范围0-200sccm,MFC4范围0-500sccm

2、流量精度:0.2%

3、气路:4路(每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制)

4、进出气口:1/4"卡套

5、混气罐:1个

产品规格

尺寸:管式炉550mm×380mm×520mm,移动架600mm×600mm×597mm

重量:135kg

可选配件

1、分子泵

2、双温区管式炉

3、铜箔(生长石墨烯150mm×150mm×25µm)

相关文章

免责声明

本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等),仅供参考。可能由于更新不及时,或许导致所述内容与实际情况存在一定的差异,请与本公司销售人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知。

在线留言

请填写表格与我们联系

看不清楚,换一张